TECNOLOGIA

Samsung apresenta ao público a nova RAM DDR5-7200 512GB

A Samsung anunciou uma expansão na parte de memoria DRAM DDR5 com o primeiro módulo DDR5 de 512GB da indústria usando o processo High-K Metal Gate.

Este novo módulo de memória DDR5-7200 da Samsung, oferece mais de 50% de desempenho comparando com o modelo antecedente DDR4 e velocidades de 7.200 megabits por segundo (Mbps). Este novo modelo será capaz de fornecer e suportar elevadas cargas de trabalho muito exigentes a nível supercomputacional.

Assim a Samsung construiu o seu módulo de memória DDR5-7200 com oito matrizes DDR5 empilhadas que são interconectadas com a tecnologia TSV (through-silicon-via). Em relação a DDR4 acaba por apresentar uma grande melhoria, que antes era limitado a quatro matrizes DDR4.

A Samsung é a única empresa de semicondutores com recursos lógicos e de memória e a experiência para incorporar a tecnologia de lógica de ponta HKMG no desenvolvimento de produtos de memória.

Young-Soo Sohn, vice-presidente do Grupo de Planeamento / Habilitação de Memória DRAM da Samsung Electronics.

O mesmo acrescenta que, “ao trazer este tipo de inovação de processo para a fabricação de DRAM, somos capazes de oferecer aos nossos clientes soluções de memória de alto desempenho. Baixo consumo de energia para alimentar os computadores necessários para pesquisas médicas, mercados financeiros, direção autónoma, cidades inteligentes e muito mais.”

À medida que a quantidade de dados a serem movidos, armazenados e processados ​​aumenta exponencialmente, a transição para DDR5 chega a um ponto de inflexão crítico para Data Centers em nuvem, redes e implantações de ponta.

Carolyn Duran, vice-presidente e gerente geral de tecnologia de memória e IO na INTEL

Como referido a DDR5 da Samsung utilizará tecnologia High-K Metal Gate (HKMG) altamente avançada que tem sido tradicionalmente usada em semicondutores lógicos. Com a redução contínua das estruturas DRAM, a camada de isolamento tornou-se mais fina, que leva a uma corrente de fuga mais alta.

Ao substituir o isolador pelo material HKMG, o DDR5 da Samsung será capaz de alcançar novos patamares de desempenho. Esta nova memória também usará aproximadamente 13% menos de energia, tornando-a especialmente adequada para Data Centers e servidores onde a eficiência energética tem vindo a tornar-se cada vez mais crítica. A empresa também abordou o novo equalizador de feedback de decisão (DFE), que ajuda a melhorar a estabilidade do sinal.

O módulo de memória DDR5-7200 é operado com uma potência de 1,1 V, apenas 0,92x a voltagem do DDR4.

A comunidade está muito empolgada com o facto de que as plataformas de próxima geração da Intel e da AMD suportarão uma quantidade abundante de memória RAM.

Com a introdução dos módulos de memória DDR4 de 32GB, os usuários convencionais poderiam ter até 128GB de memória numa placa-mãe com quatro slots DDR4. Supondo que o DDR5 convencional chegue a 64GB, qualquer um pode ter e usufruir até 256GB de memória RAM, algo que para um computador convencional e amador era impossível anteriormente, fora das plataformas de servidores.

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